金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分,分别叫PMOS管和NMOS管。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

　　CMOS集成电路的性能特点

　　微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。

　　高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。

　　宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。

　　高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑“0”为VSS。

　　高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。

　　高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。

　　低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。

　　宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为

　　- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

　　为什么CMOS电路的直流功耗几近于零？

　　JEDEC最低工业标准

　　JEDEC最低标准是电子工业协会（EIA）联合电子器件工程委员会（JEDEC）主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围：

　　电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

　　直流输入电流IIN 士10 mA(DC)

　　输入电压 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

　　器件功耗 PD 200 mw

　　工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封) ℃

　　存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ℃

　　输入/输出信号规则

　　所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。

　　在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。

　　输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。

　　避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。

　　CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500PF）时等效于输出短路的情况。

　　CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。

　　主要封装形式

　　双列直插（DIP封装）

　　扁平封装（PLCC封装）