消耗电流低

采用最新工艺的CMOS 技术，可大幅度地降低电流消耗。

• 0.9μA： S-1313(200mA)
• 1.0μA： S-812C(75mA), S-1206(250mA)

高耐压、工作电压范围广

从低输入电压到高输入电压。

• 1.2V〜3.65V： S-11L10(150mA)
• 1.4V～5.5V： S-1315(200mA)
• 3.0V～50V： S-1142(200mA)

高精度

凭借高精度的微调技术，实现了精度为±1.0% 的输出电压。

• 精度为±1.0%

※除部分产品以外

超小型封装

导线从模制树脂中伸出的超小型封装。

• 0.8×0.8ｍｍ： S-1312, S-1313(200mA), S-1333(300mA)
• 1.0×1.0mm： S-1335(150mA)
• 1.2×1.2mm： S-1315(200mA), S-13D1(LDO×2, 150mA)

利用高纹波抑制率实现低消耗电流

• ９μA 时70dB： S-1167(150mA)
• 10kHz, 36μA 时 70dB： S-1335(150mA)
• 50μA 时80dB： S-1112/1122(150mA), S-T111(150mA)
• 双电路, 25μA 时80dB： S-1721(LDO×2, 150mA)

利用小型外接电容器实现稳定工作

• 0μF～10μF： S-1315(200mA)
• 0.1μF： S-T111, S-1200(150mA), S-1313, S-1142（200ｍA), S-1206(250mA), S-1132(300mA)

低通态电阻(低压差)

可以毫不浪费地将电池使用到最后，延长电池的使用寿命。

• 0.23Ω： S-1172, S-13A1(1A)
• 0.35Ω： S-1155(500mA)
• 0.4Ω： S-1170(800mA)
• 0.53Ω： S-1135(300ｍA)
• 0.7Ω： S-1335(150ｍA)

对应宽范围的输出电压

提供0.8V/1.0V/1.2V输出产品，对应携带设备的低电压化。

• 0.8V输出： S-11L10(150mA)
• 1.0V输出： S-1312, S-1335(150mA), S-1313,S-1315(200mA), S-1135, S-1333(300mA), S-1155(500mA), S-1172, S-13A1(1A)
• 1.2V输出： S-1206(250mA), S-1133, S-1137(300mA), S-1721(LDO×2, 150mA)

强化了输出电流的产品阵容

在产品系列中新增了大输出电流产品。

• 1A： S-1172, S-13A1
• 800mA： S-1170
• 500mA： S-1155

丰富的产品封装阵容

除以HSNT-4(0808)为代表的超小型封装外，还提供1000mW、2000mW高容许功耗的封装。

复合产品的产品阵容

在产品系列中新增了可削减安装面积的复合产品。

• 150mA 双电路： S-1711, S-1721, S-13D1
• 400mA LDO + VD： S-1701
• 150mA LDO + VD： S-1702
• 24V输入 VR + VD：　S-87x

复合产品

S-13D1系列的C/F型内置了延迟功能。可设置通道间的电压上升时间差和下降时间差。

• 延迟功能：　S-13D1(LDO×2, 150mA)

减少启动时突入电流的对策(1)

◆ 软启动电路（使输出电源缓慢启动的功能）

・通过外接电容器，可自由地设定输出电压上升时间： S-1137(300mA)

・在内部固定输出电压的上升时间（可选择1ms或0.1ms）： S-1335(150mA)

减少启动时突入电流的对策(2)

◆ 突入电流控制电路(可制限一定的时间、输入电流)： S-1155(500mA), S-1172, S-13A1(1A)

压缩电源关闭时的输出电压下降时间

◆放电分路功能：S-11L10, S-1312, S-1335(150mA), S-1313, S-1315(200mA), S-1135, S-1137, S-1333(300mA), S-13A1(1A), S-1711, S-13D1(LDO×2, 150mA)

1. ON/OFF端子为OFF
2. 输出晶体管为OFF
3. 放电分路电路为ON
4. 输出电容器放电

可自由地设定输出电压

◆外部设定输出电压：

S-1133(300mA), S-13A1(1A)

即便没有输出电容器，也可作为低压差线性稳压器(LDO)来稳定工作

◆无输出电容： S-1315(200mA)